IT之家 8 月 5 日消息，公布固态3D 存储半导体 IP 企业 Neo Semiconductor 在 FMS 2026 上公布了其双晶体管 (2T) SRAM 设方式 X-SRAM，称可存容宣称可实现现有方式划 5 倍的实现上缓片上缓存容量。IT之家认识到，倍片目前的量晶商业化主流 SRAM 由 6 个晶体管构成，这限制了片上缓存的体管扩展，而大容量快捷 SRAM 缓存特别适用于推理解码等人工智能工作负载。容量Neo Semiconductor 称其可将片上 SRAM 容量提高到 GB 级别。硬盘易订阅Neo Semiconductor 展示了 4 种不一样的公布固态 X-SRAM 单元结构：Type B 方式划与现有 GAA Nanosheet 尖端逻辑制程直接兼容；Type A / C / D 则各有侧重，需工艺配合调整。称可存容该企业还展望了堆叠式的实现上缓 3D X-SRAM，有望实现 20~40 倍于现有设方式的倍片 SRAM 容量。量晶